SiP與先進封裝的異同點。SiP系統(tǒng)級封裝（System in Package)，先進封裝HDAP（High Density Advanced Package)，兩者都是當(dāng)今芯片封裝技術(shù)的熱點，受到整個半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈的高度關(guān)注。SiP對應(yīng)單片封裝/先進封裝對應(yīng)傳統(tǒng)封裝 SiP是系統(tǒng)級封裝，因此SiP至少需要將兩顆以上的裸芯片封裝在一起，例如將Baseband芯片+RF芯片封裝在一起形成SiP，單芯片封裝是不能稱之為SiP的。

◎ 由于焊錫在介面附近得錫原子會逐漸移走，而與被焊金屬組成IMC，使得該處的錫量減少，相對的使得鉛量之比例增加，以致使焊點展性增大(Ductillity)及固著強度降低，久之甚至帶來整個焊錫體的松弛。如熱浸錫鉛為5nm/s，霧狀純錫鍍層為7.7(以下單位相同)，錫鉛比30/70的皮膜為11.2，錫鉛比70/30的皮膜為12.0，光澤鍍純錫為3.7，其中以最后之光澤鍍錫情況較好。在一般常溫下錫與鎳所生成的IMC，其生長速度與錫銅IMC相差很有限。

ENEPIG如何工作？ENEPIG PCB，是一種金屬電鍍PCB，E無電Nickel -ElectrolessPalladium -我mmersionGold是印刷電路板的表面處理。因其能力而被稱為“通用表面處理” ENEPIG涂層幾乎用于任何PCB組件，主要用于支持焊接和金線和鋁線焊接。除了這些功能之外，ENEPIG電鍍還可以延長電鍍PCB的功能保質(zhì)期，超過一年。ENEPIG涉及四層金屬沉積在PCB表面上?；瘜W(xué)鍍鈀：鈀層是ENEPIG與ENEG表面處理技術(shù)的區(qū)別在于，它是另一個阻隔層。

科普：一片晶圓可以切多少個芯片？我們先從一片完整的晶圓（Wafer）說起：一片載有Nand Flash晶圓的wafer，wafer首先經(jīng)過切割，然后測試，將完好的、穩(wěn)定的、足容量的die取下，封裝形成日常所見的Nand Flash芯片（chip）。與Fabless相對應(yīng)的是Foundry（晶圓代工廠）和封測廠，主要承接Fabless的生產(chǎn)和封裝測試任務(wù)，典型的Foundry（晶圓代工廠）如臺積電、格羅方德、中芯國際、臺聯(lián)電等，封測廠有日月光，江蘇長電等。

重布線層（RDL）當(dāng)今先進封裝技術(shù)組成部分。

不同封裝芯片在X.1、雙列直插DIP封裝芯片的X-RAY下的景象，芯片的整體結(jié)構(gòu)一目了然：上下兩排最黑色部分為芯片外部管腳，最中間帶黑點的方塊為芯片和晶元，晶元四周放射狀細線為鍵合絲。2、雙列直插DIP封裝芯片的X-RAY下的景象，位于管腳和鍵合絲的中間較寬陰影為芯片管腳在封裝內(nèi)延伸部分。3、雙列直插DIP封裝芯片去除封裝后晶元裸露在外，四周放射狀金黃色導(dǎo)線為純金鍵合絲，是連接晶元與芯片管腳的部分。

第二種超聲波法(Ultrasonic)是在楔形劈刀（Wedge,與毛細管劈刀類似，是移動金屬引線的工具，但不形成球狀）上施加超聲波，實現(xiàn)金屬引線與焊盤連接的方法。如果說金絲采用的是“熱超聲波-毛細管劈刀-球”的引線鍵合法，鋁絲采用的則是鋁絲楔形引線鍵合法（Aluminum Wedge Wire Bonding），即“超聲波-楔形鍵合“的方法。鋁絲—超聲波法由于抗拉強度低，只能在特殊情況下使用，而90%以上的情況采用的都是“金絲-熱超聲波法”。

Flip Chip封裝技術(shù)介紹。Flip Chip技術(shù)不是什么新技術(shù)，在上個世紀60年代由IBM研發(fā)出來，至于為什么會出現(xiàn)這種技術(shù)要從封裝的歷史說起，這里簡單介紹下，傳統(tǒng)的封裝技術(shù)是將芯片(die)放置在引腳(lead frame)上，然后用金線將die上的pad和lead frame連接起來，這一步叫wire bond，但是這種技術(shù)封裝出來的芯片面積會很大，已經(jīng)不滿足越來越小的智能設(shè)備，所以Flip Chip技術(shù)應(yīng)用而生。最后簡單總結(jié)下Flip Chip的優(yōu)點：