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丨 掃上圖二維碼，加入星球下載5000+資料 丨 市場(chǎng)、技術(shù)、研究，半導(dǎo)體領(lǐng)域必備工具 干法刻蝕（Dry Etching）是使用氣體刻蝕介質(zhì)。 常用的干法刻蝕方法包括物理刻蝕（如離子束刻蝕）和化學(xué)氣相刻蝕（如等離子體刻蝕）等。 與干法蝕刻相比，濕法刻蝕使用液體刻蝕介質(zhì)，通常是一種具有化學(xué)反應(yīng)性的溶液或酸堿混合液。 這些溶液可以與待刻蝕材料發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕。 硅濕法刻蝕是一種相對(duì)簡(jiǎn)單且成本較低的方法，通常在室溫下使用液體刻蝕介質(zhì)進(jìn)行。 然而，與干法刻蝕相比，它的刻蝕速度較慢，并且還需要處理廢液。 每個(gè)目標(biāo)物質(zhì)都需要選擇不同的化學(xué)溶液進(jìn)行刻蝕，因?yàn)樗鼈兙哂胁煌墓逃行再|(zhì)。 例如，在刻蝕SiO2時(shí)，主要使用HF； 而在刻蝕Si時(shí)，主要使用HNO3。 因此，在該過(guò)程中選擇適合的化學(xué)溶液至關(guān)重要，以確保目標(biāo)物質(zhì)能夠充分反應(yīng)并被成功去除。 
參考書(shū)籍： 《納米集成電路制造工藝》 （點(diǎn)擊查看下載） 20種鋁濕法刻蝕配方
需要注意的是，雖然濕法刻蝕相對(duì)簡(jiǎn)單，但是由于它涉及到液態(tài)化學(xué)刻蝕劑，所以處理和處置這些化學(xué)物質(zhì)需要特別小心，以確保操作者的安全和環(huán)境保護(hù)。 此外，濕法刻蝕可能不適用于所有類(lèi)型的芯片制程，尤其是那些需要極高刻蝕精度的應(yīng)用。
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來(lái)自： 我是Rvv > 《半導(dǎo)體》
