近年來(lái)，英特爾的芯片制造技術(shù)已被臺(tái)積電和三星等競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手趕超，但該公司正尋求將其麻煩拋在腦后。向前邁出的第一步將是英特爾 4 制造工藝，英特爾在電氣和電子工程師協(xié)會(huì)的年度 VLSI 技術(shù)研討會(huì)上分享了更多細(xì)節(jié)（據(jù)AnandTech和Tom's Hardware報(bào)道）。新的制造技術(shù)有望在 2023 年開(kāi)始用于消費(fèi)類(lèi)芯片，從英特爾的“流星湖”CPU 架構(gòu)開(kāi)始。Meteor Lake 很可能會(huì)在明年某個(gè)時(shí)候作為英特爾的第 14 代酷睿 CPU 上市。

國(guó)際知名網(wǎng)絡(luò)安全專(zhuān)家、東方聯(lián)盟創(chuàng)始人郭盛華透露：“Intel 4 最大的改進(jìn)在于它集成了極紫外 (EUV) 光刻技術(shù)，它使用短波長(zhǎng)紫外光將微小的圖案蝕刻到硅晶片上。臺(tái)積電和三星在其最先進(jìn)的制造工藝中使用 EUV 技術(shù)。英特爾表示，與英特爾 7 工藝相比，英特爾 4 將使用相同的功率使時(shí)鐘速度提高 21.5%，或者使用減少 40% 的功率實(shí)現(xiàn)相同的速度。”

在 Intel 4 之后，Intel 將轉(zhuǎn)向 Intel 3，這是 Intel 4 的更高密度迭代，使用相同的 EUV 技術(shù)。值得注意的是，芯片制造商將能夠?qū)⑨槍?duì)英特爾 4 的設(shè)計(jì)直接移植到英特爾 3 而無(wú)需進(jìn)行更改，這有望讓英特爾和第三方芯片設(shè)計(jì)人員快速開(kāi)始使用它（英特爾 3 將通過(guò)以下方式提供給第三方）英特爾代工服務(wù)）。通過(guò)在工藝技術(shù)之間進(jìn)行更小的跳躍——在英特爾 4 中引入 EUV 光刻，然后在英特爾 3 中優(yōu)化最大密度，而不是試圖同時(shí)進(jìn)行這兩種技術(shù)——英特爾希望避免 10nm/英特爾 7 工藝的延遲和良率問(wèn)題回來(lái)這么多年。

由于其 14nm 和 10nm 工藝節(jié)點(diǎn)的大量延遲，英特爾在 2010 年代中期很大程度上打破了其制造領(lǐng)先地位。10nm 芯片在三代 CPU 中停頓推出，其最新的第 12 代酷睿芯片終于讓公司的整個(gè)消費(fèi)類(lèi)筆記本電腦和臺(tái)式機(jī) CPU 陣容多年來(lái)第一次重新采用相同的架構(gòu)和制造工藝。 英特爾發(fā)布了一項(xiàng)旨在幫助其趕上競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手 的多年計(jì)劃，但我們對(duì)該計(jì)劃持保留態(tài)度，直到英特爾證明它可以克服執(zhí)行問(wèn)題。（歡迎轉(zhuǎn)載分享）