對(duì)于信息產(chǎn)業(yè)而言，半導(dǎo)體技術(shù)的重要性不言而喻，近些年，隨著信息產(chǎn)業(yè)的高速發(fā)展，半導(dǎo)體技術(shù)也隨之出現(xiàn)多次革命性迭代。作為產(chǎn)業(yè)最新技術(shù)，以氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體技術(shù)已引發(fā)業(yè)界廣泛關(guān)注，產(chǎn)業(yè)基本上處于爆發(fā)的邊緣。

氮化鎵是第三代半導(dǎo)體材料之一，在半導(dǎo)體材料發(fā)展的三代技術(shù)中，第一代半導(dǎo)體材料以硅和鍺等元素為代表，奠定了微電子產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)；第二代半導(dǎo)體材料以砷化鎵和磷化銦為代表，奠定了信息產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)；以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體材料，因具備禁帶寬度大、擊穿電場(chǎng)高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速率高、抗輻射能力強(qiáng)等優(yōu)越性能，是固態(tài)光源和電力電子、微波射頻器件的“核芯”，在半導(dǎo)體照明顯示、新一代移動(dòng)通信、能源互聯(lián)網(wǎng)、高速軌道交通、新能源汽車、消費(fèi)類電子等領(lǐng)域有廣闊的應(yīng)用前景，對(duì)節(jié)能減排、產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)型升級(jí)、催生新的經(jīng)濟(jì)增長(zhǎng)點(diǎn)將發(fā)揮重要作用。

據(jù)了解，康佳半導(dǎo)體業(yè)務(wù)包括存儲(chǔ)、光電兩塊。最近，康佳與雷曼光電將成立合資公司，這是康佳打通存儲(chǔ)產(chǎn)品“出?？凇钡呐e措之一。而康佳近日招募氮化鎵工程師，則想加快突破半導(dǎo)體光電的核心技術(shù)?？导鸭瘓F(tuán)總裁周彬日前接受媒體電話采訪時(shí)透露，康佳包括儲(chǔ)存芯片分銷等在內(nèi)的半導(dǎo)體業(yè)務(wù)年?duì)I收已達(dá)13億美元。

半導(dǎo)體科技事業(yè)部于2018年成立，但半導(dǎo)體業(yè)務(wù)從2016年已有所布局，當(dāng)時(shí)成立了存儲(chǔ)芯片分銷公司。2018年，康佳集團(tuán)在合肥成立康芯威的存儲(chǔ)主控芯片設(shè)計(jì)公司，2019年成立康佳芯盈的封測(cè)公司，還設(shè)立了研究院、半導(dǎo)體光電產(chǎn)業(yè)園，從而形成存儲(chǔ)、光電兩個(gè)板塊。此外，康佳與另一家LED企業(yè)聯(lián)建光電也設(shè)立了合資公司，主攻光電板塊業(yè)務(wù)，雙方合作是想推進(jìn)Mini LED及Micro LED新技術(shù)在公共視訊領(lǐng)域的商用化進(jìn)程。

Micro LED芯片研發(fā)上已取得初步突破，申請(qǐng)超過(guò)100項(xiàng)全球?qū)＠心嫉壒こ處熓窍Ｍ涌焱七M(jìn)。除了Micro LED芯片，今后還有其它應(yīng)用。”李宏韜表示，與小米應(yīng)用氮化鎵技術(shù)到快充產(chǎn)品上不同，力爭(zhēng)突破氮化鎵的核心技術(shù)，第一步應(yīng)用以光電芯片為主，未來(lái)應(yīng)用領(lǐng)域會(huì)擴(kuò)至功率器件、射頻器件，而射頻器件等在5G時(shí)代將用途很廣。

以MicroLED為代表的半導(dǎo)體光電顯示器件，其發(fā)光核心就是基于氮化鎵GaN發(fā)光二極管，氮化鎵材料更大的材料能隙（禁帶寬度）使其成為藍(lán)色和綠色發(fā)光器件最佳選擇；作為功率器件的氮化鎵晶體管和用于通信電路的氮化鎵射頻放大器也都是基于氮化鎵半導(dǎo)體技術(shù)。它們都是從不同應(yīng)用需求而對(duì)氮化鎵材料的各個(gè)方面特性加以利用。

目前研究氮化鎵半導(dǎo)體器件在光電、功率、通信等三個(gè)主要應(yīng)用方向，進(jìn)行了相關(guān)布局，建立了以GaN LED為主要對(duì)象的研究平臺(tái)環(huán)境，同時(shí)從規(guī)劃之初就為GaN功率器件、GaN射頻器件技術(shù)研究提供了最大的兼容性，做到核心設(shè)備和技術(shù)積累可以用于不同的產(chǎn)品，做到了資源的最大化。

其實(shí)，在小米之前，今年初的美國(guó)拉斯維加斯展會(huì)上，大量的氮化鎵快充產(chǎn)品已經(jīng)引發(fā)行業(yè)震動(dòng)。有研究機(jī)構(gòu)認(rèn)為，到2025年，僅全球氮化鎵快充市場(chǎng)規(guī)模有望達(dá)600多億人民幣。而除了充電器，氮化鎵材料在功率器件、射頻器件等半導(dǎo)體領(lǐng)域也大有可為，未來(lái)將加速對(duì)硅基產(chǎn)品的替代。顯然，第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已處于爆發(fā)的邊緣。

如果覺(jué)得文章不錯(cuò)，可以點(diǎn)個(gè)收藏

點(diǎn)擊關(guān)注，可以查看歷史文章，了解更多關(guān)于半導(dǎo)體科技的介紹。

大家的點(diǎn)贊 評(píng)論 關(guān)注 可以鼓勵(lì)作者哦