為什么要RAM調(diào)試？

1. 相比于FLASH調(diào)試，在RAM調(diào)試可以很快地裝載代碼，可以節(jié)省將代碼下載到Flash的時間。

2. RAM的擦寫次數(shù)幾乎無限，RAM調(diào)試可延長Flash的使用壽命。圖1

一、準備（這里以STM32F103C8的LED流水燈程序為例)

1. Keil mdk514

2. Template模板工程 LED流水燈，V3.5.0版本的固件庫

3. 示例芯片型號：STM32F103C8，芯片的BOOT引腳必須接地

 二、修改工程：打開Keil mdk工程，修改以下設置

   1.添加一個Project target：

   如圖1左Project視圖中右鍵Template_Flash選擇Manage Project Items…出現(xiàn)工程文件管理界面。

圖1 ：左為project視圖，右為工程項管理界面 

   在彈出的工程文件管理界面作圖1右圖所示的設置：(1)單擊添加按鈕；(2)輸入Target名稱，如Template_RAM；(3)單擊Set as Current Target按鈕，然后按ok保存。

   這樣做的好處是：可以使用下載按鈕旁邊的下拉列表切換用于Flash下載的配置和進行RAM調(diào)試的配置，如圖2。

圖2 ：編譯目標選擇下拉框

   2.分配RAM和Flash空間：

     由《STM32數(shù)據(jù)手冊》得知，STM32F103C8的RAM大小為20K，根據(jù)自己索要調(diào)試的代碼分配者20K的空間；

     例如：如圖3是流水燈程序編譯后的keil輸出，流水燈程序占Flash：1352字節(jié)，占RAM：268+24+1632，那么可以將STM32F103C8的20K的RAM分10k給ROM，剩下10k作為RAM。

圖3：流水燈程序Build Output

    單擊keil工具欄中的魔術棒按鈕如圖4（Options for Target…）彈出工程選項窗口：

圖4 ：工程選項Options forTarget按鈕

     修改工程選項的Target標簽的IROM和IRAM如圖5。設置IROM的Start=0x20000000，Size=0x2800（0x2800=10k）；IRAM的Start=0x20002800，Size=0x2800。

圖5 ：工程選項-Target標簽設置

    為何這樣設置？

    答：下圖來自《Cortex-M3權威指南（中文）》84頁，據(jù)圖5.1知Cortex-M3內(nèi)核MCU內(nèi)部RAM起始地址為0x20000000，因為STM32F103C8的內(nèi)部RAM=20K，因此地址范圍是：0x20000000~0x20005000。這樣上述設置將10k分給的代碼區(qū)（IROM），將10k分給了數(shù)據(jù)區(qū)（IRAM）。

  3.修改中間文件和鏈接文件保存路徑：（文件路徑跟別的Target不同即可）

     如圖6，打開選項的Output標簽，將objects文件的保存路徑改為工程目錄/OBJ/RAM目錄下；同理，選項的Listing標簽中，將lst文件的保存路徑改為工程目錄/LIST/RAM目錄下；

圖6:工程選項-Output標簽設置

     目的是：避免二、1步中所示的不同配置的Target產(chǎn)生的中間文件和鏈接文件混淆。

   4.添加宏定義：

    在選項的C/C++標簽的Preprocessor Symbols的define中添加定義：VECT_TAB_SRAM，若有別的定義，則用英文逗號隔開。

圖7：工程選項-C/C++標簽設置

   5.清除flash編程算法以及添加初始化文件：

  （1）在選項的BEBUG標簽中選擇右側的仿真器如Jlink，圖8左；

圖8 ：左 工程選項-Debug標簽 ；右 單擊左圖Setting彈出的仿真器設置界面

     然后單擊右邊的Settings按鈕：彈出如圖8右圖所示設置頁，選擇Flash download標簽，設置如下：直到將Programming Algorithm中的內(nèi)容清空。選項的Utilities標簽也有一個Setting按鈕，里面的設置同理。

  （2）在選項的BEBUG標簽中選擇右側的仿真器選擇下方有一個Initialization File，添加Dbg_RAM.ini文件；

    說明：Dbg_RAM.ini文件來自Keil安裝目錄\ARM\Pack\Keil\STM32F1xx_DFP\1.1.0\Boards\Keil\MCBSTM32C\Blinky\Dbg_RAM.ini，將其復制到工程目錄的USER子目錄下；不同版本Keil該文件路徑可能不同。該文件可手動創(chuàng)建，內(nèi)容如下：

   6.最后的設置：選項的Utilities標簽的 Update Target Before DeBugging項不能選中!

圖9：工程選項-Utilities標簽

   上述設置完成后，注意單擊ok保存設置。

三、enjoy程序調(diào)試:

    重新編譯項目文件，單擊keil工具欄中的Bebug按鈕就可以在RAM中調(diào)試程序。

 注意：

         1.RAM調(diào)試Target不能用于下載，因此不能單擊下載按鈕；

       2.調(diào)試過程中復位后必須退出Debug再重新進入Debug。原因是復位后程序回到了芯片flash的起始地址而非RAM起始地址。

      3.若進入debug程序立即運行，可先在main函數(shù)或需要的地方加好斷點，或者取消圖8工程選項-Debug標簽所示的Run to main().選項  為什么是取消勾選？？不得而知。

RAM調(diào)試工程模板下載：

http://download.csdn.net/detail/weboo10000/9085393