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簡(jiǎn)易助聽器電路分析

 共同成長(zhǎng)888 2019-01-24

項(xiàng)目二 簡(jiǎn)易助聽器電路分析

音量調(diào)節(jié)

PNP型小功 型小功 率管( 率管(3AX) )

\f任務(wù)一: 任務(wù)一:雙極型三極管 任務(wù)二: 任務(wù)二:共射放大電路 分為固定偏置的共射放大電路 、分壓式偏置 的共射放大電路兩個(gè)子任務(wù) 任務(wù)三:共集、 任務(wù)三:共集、共基放大電路 任務(wù)四: 任務(wù)四:簡(jiǎn)易助聽器電路分析

\f雙極型三極管 任務(wù)一 雙極型三極管

2.1.1 BJT 的結(jié)構(gòu) 2.1.2 BJT 的電流分配與放大原理 2.1.3 BJT 的特性曲線 2.1.4 BJT 的使用常識(shí) 2.1.5 特殊三極管

\f2.1.1 BJT的結(jié)構(gòu) 的結(jié)構(gòu)

一、結(jié)構(gòu)、符號(hào)和分類 結(jié)構(gòu)、 collector

N 基極 B 集電區(qū) 集電結(jié) 基 區(qū) B 發(fā)射結(jié) 發(fā)射區(qū)

集電極 C

C P N P E

base

發(fā)射極 E

P N

emitter

C C B E

B

NPN 型

PNP 型

E

分類: 分類: 按材料分: 按材料分: 硅管、 硅管、鍺管 按結(jié)構(gòu)分: 按結(jié)構(gòu)分: NPN、 PNP 、 按使用頻率分: 按使用頻率分: 低頻管、 低頻管、高頻管 按功率分: 按功率分: 小功率管 < 500 mW 中功率管 0.5 ~1 W 大功率管 > 1 W

\fBJT 外形和引腳

C E C B C B E EBC B E

\f2.1.2 BJT 的電流分配和放大原理

一、BJT 處于放大狀態(tài)的條件

內(nèi)部 條件 發(fā)射結(jié)正偏,集電結(jié)反 發(fā)射結(jié)正偏 集電結(jié)反 發(fā)射區(qū)摻雜濃度高 外部 偏: 基區(qū)薄且摻雜濃度低 條件 NPN管:U > U > U C B E 集電結(jié)面積大 PNP管:UC < UB <>

IC c Rc VCC PNP IB c Rc VCC IC

NPN IB

b + UCE Rb + UBE e ? VBB ? IE 輸入回路

b + UCE Rb + UBE e ? VBB ? IE

輸出回路 BJT與電源連接方式 與電源連接方式

\f2. 滿足放大條件的三種電路

c b

輸出 輸入

e b

輸出 輸入

e

輸入

c b

輸出

e

c

共發(fā)射極

共集電極

共基極

\f二、 BJT的載流子的傳輸過程 的載流子的傳輸過程

I CBO

BJT載流子運(yùn)動(dòng)過程

IC

I CN

1) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子, ) 發(fā)射區(qū)向基區(qū)注入多子電子 電子, 形成發(fā)射極電流 IE。 ) 基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略) (2)電子到達(dá)基區(qū)后 基區(qū)空穴運(yùn)動(dòng)因濃度低而忽略) 多數(shù)向 BC 結(jié)方向擴(kuò)散形成 ICN。 少數(shù)與空穴復(fù)合,形成 IBN 。 少數(shù)與空穴復(fù)合, 基區(qū)空 穴來源 基極電源提供( 基極電源提供(IB) 集電區(qū)少子漂移( 集電區(qū)少子漂移(ICBO)

IB

I BN

IE

即:IBN ≈ IB + ICBO

IB = IBN – ICBO

3) 集電區(qū)收集擴(kuò)散過來的載流子形成集電極電流 IC )

I C = ICN + ICBO

\f三、BJT 的電流分配關(guān)系

當(dāng)管子制成后,發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、 當(dāng)管子制成后,發(fā)射區(qū)載流子濃度、基區(qū)寬度、集 電結(jié)面積等確定,故電流的比例關(guān)系確定, 電結(jié)面積等確定,故電流的比例關(guān)系確定,即:

IC = β IB

因?yàn)? 因?yàn)? 所以有: 所以有:

IE = IC + IB

IE = (1 + β ) IB

:直流電流放大系數(shù)

β

\f三、BJT 的放大作用

IC + ? IC IB + ? IB c b + Rb + ?UI UBE e ? VBB ?

β :交流電流放大\r

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