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常用電子元器件基本知識(shí)整理

 為學(xué)而樂(lè) 2019-01-12

1 電阻

它是導(dǎo)體的一種基本性質(zhì),與溫度、材質(zhì)、尺寸、橫截面積相關(guān)……電阻的主要物理特征是把電能變?yōu)闊崮?,也可說(shuō)它是一個(gè)耗能元件,電流經(jīng)過(guò)它就產(chǎn)生內(nèi)能,所以注意在選用電阻的時(shí)候要算一下電路的流過(guò)的電流,并選用合適功率的電阻,防止電阻由于過(guò)度發(fā)熱產(chǎn)生不必要的麻煩。

電阻的常見(jiàn)作用:

①上拉電阻:上拉電阻的作用也不盡相同。有些上拉電阻是給芯片的相關(guān)引腳提供初始‘高’狀態(tài);漏極開路的芯片引腳則通過(guò)上拉 從而提供“高”狀態(tài)的驅(qū)動(dòng)電流(比如三極管的集電極上的電阻);也有些引腳的上拉電阻是根據(jù)芯片的設(shè)計(jì)要求為芯片的相關(guān)功能接口提供偏置設(shè)定等等。

②下拉電阻:下拉電阻多是為芯片的功能接口提供偏置設(shè)定或補(bǔ)償設(shè)定。比如信號(hào)的輸入端加一個(gè)下拉電阻,可以讓芯片上電初始呈現(xiàn)低電平狀態(tài)。

③分壓電阻:為了保證得到精確的所需電壓

④終端電阻:在高速信號(hào)設(shè)計(jì)中,有時(shí)候需要在信號(hào)的源端或終端加一些電阻進(jìn)行阻抗匹配(阻抗匹配的概念請(qǐng)參考高速信號(hào)設(shè)計(jì)的 相關(guān)技術(shù)書籍)。主要目的進(jìn)行阻抗匹配。

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⑤電流檢測(cè)電阻:用來(lái)檢測(cè)通過(guò)的電流大小的,如下圖中的 R2305 和 R2301。其工作原理是檢測(cè)電阻兩端的電 壓差,除以其電阻值,芯片就可計(jì)算出通過(guò)的電流大小。由于 希望該電阻上的壓降盡量小,從而不影響電源電壓的傳輸,所以一般這些電阻的阻值會(huì)選得很小。

2 電容

電容的定義:是由兩塊金屬電極之間夾一層絕緣電介質(zhì)構(gòu)成。

特點(diǎn):① 它具有充放電特性和阻止直流電流通過(guò),允許交流電流通過(guò)的能力。②在充電和放電過(guò)程中,兩極板上的電荷有積累過(guò)程,也即電壓有建立過(guò)程,因此,電容器上的電壓不能突變。 電容器的充電:兩板分別帶等量異種電荷,每個(gè)極板帶電量的絕對(duì)值叫電容器的帶電量。電容器的放電:電容器兩極正負(fù)電荷通過(guò)導(dǎo)線中和,在放電過(guò)程中導(dǎo)線上有 短暫的電流產(chǎn)生。③電容器的容抗與頻率、容量之間成反比。即分析容抗大小時(shí)就得聯(lián)系信號(hào)的頻率高低、容量大小。

電容的常見(jiàn)作用:

①退耦電容:滿足芯片內(nèi)部晶體管導(dǎo)通時(shí)所需的瞬態(tài)電流。同時(shí)還起到濾波的作用。

②耦合電容:在現(xiàn)在的電腦設(shè)計(jì)中用的很多的 PCI Express 總線的差分信號(hào)中往往會(huì)串接電容,這種電容根據(jù)其功能,有個(gè)名稱叫交流耦合電容(AC coupling )。 1可以降低共模干擾,提高傳輸?shù)捷斎攵说男盘?hào)質(zhì)量 。2該電容阻斷輸出和輸入的直流通道,便于有需要的電路。3在輸出端和輸入端設(shè)置不同的直流偏置

③旁路電容:是把輸入信號(hào)的一些干擾以及不需要的頻率分量給過(guò)濾掉,從而讓需要的頻率分量以及干凈的信號(hào)進(jìn)入到輸入電路,確保輸入電路穩(wěn)定工作。

④濾波電容:是利用電容充放電原理,把交流的輸出波形處理成直流輸出波形。

⑤晶振起振電容

注意:有關(guān)電容的幾個(gè)公式①C=Q/U ②Q=I*T (C:電容容值。Q:電荷值 I:電流大小 T:時(shí)間)

3 電感

電感器(Inductor)是能夠把電能轉(zhuǎn)化為磁能而存儲(chǔ)起來(lái)的元件。主要特性:通直流阻交流。

電感器在電路中主要起到濾波、振蕩、延遲、陷波等作用,還有篩選信號(hào)、過(guò)濾噪聲、穩(wěn)定電流及抑制電磁波干擾等作用。

①電感在電路最常見(jiàn)的作用就是與電容一起,組成 LC 濾波電路。

注意:有關(guān)電感的公式:感抗=2*π*f*L w=2*π*f

3 二極管

二極管種類有很多,按照所用的半導(dǎo)體材料,可分為鍺二極管(Ge 管)和硅二極管(Si 管)。根據(jù)其不同用途,可分為檢波二極管、整流二極管、穩(wěn)壓二極管、開關(guān)二極管、隔離 二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開關(guān)二極管、旋轉(zhuǎn)二極管等。鍺二極管的導(dǎo)通電壓為0.2V-0.3V,硅二極管導(dǎo)通電壓為0.5V-0.8V.

①開關(guān)二極管:二極管的開關(guān)功能,利用其單向?qū)щ娦浴1热纾?/p>

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②發(fā)光二極管:典型的發(fā)光二極管的應(yīng)用電路。

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4 三極管

控制電流的半導(dǎo)體器件,利用其特性把微弱的信號(hào)的幅值進(jìn)行放大。也用作無(wú)觸點(diǎn)開關(guān)。晶體三極管最大的特性是具有電流放大作用,其實(shí)質(zhì)是三極管能以基極電流微小的變化量來(lái)控制集電極電流較大的變化量。放大倍數(shù)為β,β=集電極電流的變化量除以基極電流的變化量。

三極管的工作狀態(tài):

①放大狀態(tài):發(fā)射極正偏,集電極反偏

②截止?fàn)顟B(tài):發(fā)射極反偏,集電極反偏

③飽和狀態(tài):發(fā)射極正偏,集電極正偏

5 MOS管

定義:FET是把輸入電壓的變化轉(zhuǎn)化為輸出電流的變化,其增益等于它的 transconductance, 定義為輸出電流的變化和輸入電壓變化之比。

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MOS管的導(dǎo)通條件:

當(dāng) VGS 小于 MOS 的門限電壓時(shí),MOS 管不導(dǎo)通,漏極和源極間(D-S 間)關(guān)斷;

當(dāng) VGS 大于 MOS 的門限電壓時(shí),MOS 管導(dǎo)通,漏極和 源極間(D-S 間)直連,電壓幾乎相同。

MOS管和三極管的區(qū)別:

①場(chǎng)效應(yīng)晶體管是電壓控制元件,而雙極結(jié)型晶體管是電流控制元件。在只允許從取較少電流的情況下,應(yīng)選用場(chǎng)效應(yīng)管;而在信號(hào)電壓較低,又允許從信號(hào)源取較多電流的條件下,應(yīng)選用雙極晶體管。

②有些場(chǎng)效應(yīng)管的源極和漏極可以互換使用,柵壓也可正可負(fù),靈活性比雙極晶體管好。

③場(chǎng)效應(yīng)管是利用多數(shù)載流子導(dǎo)電,所以稱之為單極型器 件,而雙極結(jié)型晶體管是即有多數(shù)載流子,也利用少數(shù) 載流子導(dǎo)電。因此被稱之為雙極型器件。

④場(chǎng)效應(yīng)管能在很小電流和很低電壓的條件下工作,而且它的制造工藝可以很方便地把很多場(chǎng)效應(yīng)管集成在一塊硅片上,因此場(chǎng)效應(yīng)管在大規(guī)模集成電路中得到了廣泛 的應(yīng)用。

半波整流與全波整流的區(qū)別

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