ROM 只讀內存（Read-Only Memory）是一種只能讀取資料的內存。在制造過程中，將資料以一特制光罩（mask）燒錄于線路中，其資料內容在寫入后就不能更改，所以有時又稱為“光罩式只讀內存”（mask ROM）。此內存的制造成本較低，常用于電腦中的開機啟動。 可編程只讀存儲器 可編程只讀存儲器（英文：Programmable ROM，簡稱：PROM）一般可編程一次。PROM存儲器出廠時各個存儲單元皆為1，或皆為0。用戶使用時，再使用編程的方法使PROM存儲所需要的數(shù)據(jù)。 PROM需要用電和光照的方法來編寫與存放的程序和信息。但僅僅只能編寫一次，第一次寫入的信息就被永久性地保存起來。例如，雙極性PROM有兩種結構：一種是熔絲燒斷型，一種是PN結擊穿型。它們只能進行一次性改寫，一旦編程完畢，其內容便是永久性的。由于可靠性差，又是一次性編程，目前較少使用。 可編程可擦除只讀存儲器 可編程可擦除只讀存儲器（英文：Erasable Programmable Read Only Memory，簡稱：EPROM）可多次編程。這是一種便于用戶根據(jù)需要來寫入，并能把已寫入的內容擦去后再改寫，即是一種多次改寫的ROM。由于能夠改寫，因此能對寫入的信息進行校正，在修改錯誤后再重新寫入。 擦除遠存儲內容的方法可以采用以下方法：電的方法（稱電可改寫ROM）或用紫外線照射的方法（稱光可改寫ROM）。光可改寫ROM可利用高電壓將資料編程寫入，抹除時將線路曝光于紫外線下，則資料可被清空，并且可重復使用。通常在封裝外殼上會預留一個石英透明窗以方便曝光。 一次編程只讀內存 一次編程只讀內存（One Time Programmable Read Only Memory，OTPROM）之寫入原理同EPROM，但是為了節(jié)省成本，編程寫入之后就不再抹除，因此不設置透明窗。 電子可擦除可編程只讀存儲器 電子可擦除可編程只讀存儲器（英文：Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory，簡稱：EEPROM）之運作原理類似EPROM，但是抹除的方式是使用高電場來完成，因此不需要透明窗。 閃速存儲器 閃速存儲器（英文：Flash memory）是英特爾公司90年代中期發(fā)明的一種高密度、非易失性的讀/寫半導體存儲器它既有EEPROM的特點，又有RAM的特點，因而是一種全新的存儲結構。 工作原理 地址譯碼器根據(jù)輸入地址選擇某條輸出(稱字線)，由它再去驅動該字線的各位線，以便讀出字線上各存儲單元所儲存的代碼。下圖a是以熔絲為存儲元件的8×4ROM(通常以“字線×位線”來表示存儲器的存儲容量)的原理圖。它以保留熔絲表示存入的是“0”，以熔斷熔絲表示存入的是“1”。例如，存入字1的是“1011”。在ROM中，一般都設置片選端 (也有寫作 的)。當 =0時ROM工作；當 =1，ROM被禁止，其輸出為“1”電平或呈高阻態(tài)。 用來擴展ROM的字數(shù)。 ROM的地址譯碼器是與門的組合，它的輸出是全部地址輸入的最小項?？梢园炎g碼器表示成圖b所示的與陣列，圖中與陣列水平線和垂直線交叉處標的“點”表示有“與”的聯(lián)系。存儲單元體實際上是或門的組合，ROM的輸出數(shù)即或門的個數(shù)。譯碼器的每個最小項都可能是或門的輸入，但是，某個最小項能否成為或門的輸入取決于存儲信息，因此存儲單元體可看成是一個或陣列。由上分析，可以從另一角度來看ROM的結構：它由兩個陣列組成——“與”門陣列和“或”門陣列，其中“或”的內容是由用戶設置的，因而它是可編程的，而與陣列是用來形成全部最小項的，因而是不可編程的。 ROM的形式也有多種。一種是熔絲型ROM，ROM制造廠提供的產品保留了或陣列的全部熔絲，由使用者寫入信息，隨后存儲內容就不能更改了，這類ROM稱為可編程序只讀存儲器，簡稱PROM。另一類ROM是信息寫入后，可用紫外線照射或用電方法擦除，然后再允許寫入新的內容，稱前一種ROM為可改寫ROM，簡稱EPROM，稱后者為電可改寫ROM，簡稱EEPROM。還有一類ROM的存儲信息是在制造過程中形成的，集成電路制造廠根據(jù)用戶事先提供的存儲內容來設計光刻掩模板，用制造或不制造存儲元件的方法來存儲信息，這類ROM稱為“掩模型只讀存儲器”，簡稱MROM。 使用范圍 RAM-RandomAccessMemory易揮發(fā)性隨機存取存儲器，高速存取，讀寫時間相等，且與地址無關，如計算機內存等。 ROM-Read Only Memory只讀存儲器。斷電后信息不丟失，如計算機啟動用的BIOS芯片。存取速度很低，（較RAM而言）且不能改寫。由于不能改寫信息，不能升級，現(xiàn)已很少使用。 EPROM,EEPROM,Flash ROM(NOR Flash 和 NADN Flash)，性能同ROM，但可改寫，一般讀比寫快，寫需要比讀高的電壓，（讀5V寫12V）但Flash可以在相同電壓下讀寫，且容量大成本低，如U盤MP3中使用廣泛。在計算機系統(tǒng)里，RAM一般用作內存，ROM用來存放一些硬件的驅動程序，也就是固件。 |
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