|
本文將闡述IGBT模塊手冊所規(guī)定的主要技術指標，包括電流參數(shù)、電壓參數(shù)、開關參數(shù)、二極管參數(shù)及熱學參數(shù)，使大家正確的理解IGBT模塊規(guī)格書，為器件選型提供依據。本文所用參數(shù)數(shù)據以英飛凌IGBT模塊FF450R17ME3 為例。文章來源：http://www./jc/156.html 一、電流參數(shù) 1. 額定電流（IC nom） 
大功率IGBT模塊一般是由內部并聯(lián)若干IGBT芯片構成，F(xiàn)F450R17ME3內部是3個150A芯片并聯(lián)，所以標稱值為450A
額定電流可以用以下公式估算：
Tjmax–TC= VCEsat·IC nom·RthJC
VCEsat 是IC nom的函數(shù)，見規(guī)格書后圖1，采用線性近似VCEsat=(IC nom+287)/310
Tjmax=150℃,TC=80℃,RthJC =0.055K/W
計算得：IC nom=500A
2. 脈沖電流（Icrm 和Irbsoa）
Icrm是可重復的開通脈沖電流（1ms僅是測試條件，實際值取決于散熱情況）
Irbsoa 是IGBT可以關斷的最大電流
所有模塊的的Icrm和Irbsoa都是2倍額定電流值
 
短路條件:t<10μs,Vge<15V,Rg>Rgnom(規(guī)格書中的值)，Tj<125℃
短路堅固性
?IGBT2為平面柵IGBT:5-8倍IC
?IGBT3/IGBT4為溝槽柵IGBT:4倍IC
二、電壓參數(shù)1. 集電極-發(fā)射極阻斷電壓Vces 
測量Vces時，G/E兩極必須短路
Vces為IGBT模塊所能承受的最大電壓，在任何時候CE間電壓都不能超過這一數(shù)值，否則將造成去器件擊穿損壞
Vces和短路電流ISC一起構成了IGBT模塊的安全工作區(qū)：RBSOA圖
由于模塊內部寄生電感△V=di/dt*Lin 在動態(tài)情況下，模塊耐壓和芯片耐壓有所區(qū)別
2. 飽和壓降VCEsat
IFX IGBT的VCEsat隨溫度的升高而增大，稱為VCEsat具有正溫度系數(shù)，利于芯片之間實現(xiàn)均流
VCEsat 是IC的正向函數(shù)，隨增大而增大IC
VCEsat的變化
VCEsat隨IC的增大而增大
VCEsat隨VG的減小而增大
  |
|
|
來自： 昵稱28676879 > 《控制器》
