DDR4規(guī)劃與內(nèi)存展示

作為計算體系中最靠近CPU的組件，內(nèi)存一直是歷年IDF上必談的話題。前不久E5平臺的發(fā)布，一個突出的亮點就是大容量、高帶寬內(nèi)存的支持，也令人更為關(guān)注未來英特爾至強處理器平臺所使用的內(nèi)存技術(shù)。

英特爾平臺內(nèi)存運營事業(yè)部高級經(jīng)理Geof Findley首先向感興趣的觀眾分享了IHS旗下權(quán)威市場調(diào)研機構(gòu)iSuppli對未來5年DRAM市場規(guī)格趨勢的預(yù)測：

目前至強平臺上最先進的內(nèi)存規(guī)格是DDR3-1600，但今年將會發(fā)布DDR4的工程樣本。iSuppli預(yù)計DDR4將于2014年走向主流，2015年即可超越DDR3

被SK集團收購之后，于上月更名為SK Hynix是Intel長期的合作伙伴。SK Hynix高級經(jīng)理Kyongseon Lim介紹了DDR4技術(shù)的優(yōu)勢：

DDR4在功耗、性能、密度、可靠性上與DDR3的比較

SK Hynix計劃在2013年先后將4Gb與8Gb DDR4投入量產(chǎn)，以呼應(yīng)2014年DDR4走向主流的預(yù)測

Hynix擁有排名世界第二的內(nèi)存芯片業(yè)務(wù)，樓上的展示區(qū)也少不了相關(guān)的成果羅列。不過，DDR4的蹤跡還暫時難以尋覓。

通過堆疊4個16Gb的NAND芯片，SK Hynix實現(xiàn)了64Gb的SLC NAND顆粒（紅色圓框內(nèi)），卻誤標為32Gb，類似的小錯誤在IDF2012上很不罕見，參展商的準備工作有待改進

左邊是幾種適用于微服務(wù)器的內(nèi)存，右邊則擺出了3種32GB的RDIMM，也是主流服務(wù)器目前所能使用的最大容量DIMM

512GB的2.5英寸SSD，兩倍于SK Hynix官網(wǎng)上的最大容量，SATA 6Gb/s接口

SODIMM模組、mSATA規(guī)格的SSD，以及DDR3內(nèi)存顆粒

256GB的mSATA SSD，也是SK Hynix官網(wǎng)上最大容量的兩倍，這得益于單個內(nèi)存顆粒的超大容量。可以看到閃存控制器來自SandForce。另外，SK Hynix還計劃推出SAS 6Gb/s接口的SSD，爭奪企業(yè)級市場

兩支PCIe SSD生力軍

英特爾也許不會在SSD市場上占據(jù)多大的份額，但其示范和推動作用絕對不可小視，這也是業(yè)界非常關(guān)注英特爾何時推出PCIe接口SSD的原因之一。去年就流傳著英特爾將推出型號為720的PCIe SSD的消息，2011秋季IDF上還展出了樣品，但終歸沒能在年內(nèi)面世。

4月12日，也就是本屆IDF的第二天中午，英特爾將正式發(fā)布型號為910的首款PCIe SSD，而細心的觀眾今天已經(jīng)能在英特爾的展臺看到910。這證實了我們的猜測——910就是之前傳說中的“720”?？紤]到之前的710為SATA接口，為PCIe SSD開一個新的系列也是更為合理的行為。這一點亦可從其他觀眾的反應(yīng)中得到證實：我向展臺人員求證此910是否就是之前所謂的720，旁邊幾位觀眾都說 “720？不可能，肯定是SATA接口的啊，英特爾之前沒出過PCIe的SSD……”

英特爾的展示系統(tǒng)用4個910（左側(cè)紅色橢圓框中）實現(xiàn)了100萬的IOPS，右側(cè)是靜態(tài)展示的910 PCIe SSD

4個910貢獻100萬IOPS，合每個25萬IOPS，但經(jīng)過查證，是采用512字節(jié)塊大小隨機訪問的結(jié)果……4KB隨機讀的指標為18萬IOPS，與去年演示的“720”一樣。4KB隨機寫的指標是7.5萬IOPS

可以看到910用3個PCB堆疊而成

從這個角度看，上面兩個PCB的結(jié)構(gòu)應(yīng)該是一樣的，而下面的PCB隱約可見4個裸露的芯片和1個散熱片覆蓋的稍大的芯片，很像是一個RAID控制器拖4個閃存控制器（SATA接口？）的結(jié)構(gòu)……可惜沒有隨身帶螺絲刀（肯定也不讓拆哈），只有到發(fā)布會上去探索了

PCIe SSD市場上另一個不容小覷的后起之秀當(dāng)屬國內(nèi)的華為。華為擁有國內(nèi)IT廠商中首屈一指的研發(fā)實力，包括旗下的海思半導(dǎo)體，推出PCIe SSD已有一段時間，我們也得以在華為的展臺上把玩一番。

華為展出的PCIe SSD采用兩個PCB堆疊的方式，從上面可以看到2個Xilinx（賽林斯）的SPARTAN-6 FPGA充當(dāng)閃存控制器的角色，這相當(dāng)于2個SSD模塊，加上下面PCB上對應(yīng)位置是同樣的結(jié)構(gòu)，可以說是4個SSD模塊，黑色散熱片下的芯片應(yīng)該是 RAID控制器（4個模塊組成RAID 5？）。華為自主開發(fā)的固件集成閃存轉(zhuǎn)換層（FTL），據(jù)稱可以提高CPU效率，針對Fusion-io之意不難想見

華為PCIe SSD背面的圖片。經(jīng)過前面的介紹，可以看出華為與英特爾的PCIe SSD雖外形不同，但設(shè)計上頗有相同之處，而在性能指標上，華為PCIe SSD的4KB隨機讀IOPS達25萬，隨機寫IOPS也有17萬IOPS，均高于Intel的910

側(cè)視圖可以看到上下兩個PCB的相同之處